正向 S 极平行 X 轴入射，磁场强度≥+17Gs，输出低电平，磁场撤离后电平保持锁存；
反向 N 极平行 X 轴入射，磁场强度≤-17Gs，输出高电平，磁场撤离后电平保持锁存；
无外加磁场时，输出电平维持上一次磁极触发状态，不会自动复位；
仅对平行芯片表面 X 方向磁场敏感，垂直方向磁场几乎无响应。
| 参数 | 符号 | 额定极限值 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 电源最高耐压 | VCC_MAX | 7 | V | 仅允许瞬态，长期工作电压上限 5.5V |
| 电源反向耐压 | V_REV | 0.3 | V | 禁止电源反接 |
| 可承受最大外加磁场 | B_MAX | 2800 | Gs | 超过数值有磁元件性能衰减风险 |
| 静电耐压 HBM 模式 | ESD | 4 | kV | 人体放电防静电指标 |
| 工作温度极限区间 | T_A_RANGE | -40 ~ +125 | ℃ | 全程可正常工作区间 |
| 存储温度区间 | T_STG | -50 ~ +150 | ℃ | 不通电存放温度范围 |
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 正常工作电压 | VCC | 1.8 | 3.0 | 5.5 | V |
| 静态工作电流 | ICC | 0.5 | 1.5 | 2 | μA |
| 正向导通触发磁场（S 极） | BOP | +10 | +17 | +25 | Gs |
| 反向复位触发磁场（N 极） | BRP | -25 | -17 | -10 | Gs |
| 磁滞区间宽度 | BH | 20 | 34 | 50 | Gs |
| 输出高电平电压 | VOH | VCC-0.3 | 接近 VCC | VCC | V |
| 输出低电平电压 | VOL | 0 | 0.1 | 0.2 | V |
| 输出最大灌电流 | IOL | - | 9 | - | mA |
| 输出最大拉电流 | IOH | - | 9 | - | mA |
| 型号 | 封装外形 | 外形尺寸 | 适配焊接方式 |
|---|---|---|---|
| TMR1202S | SOT23-3 贴片 | 2.9mm×1.6mm | SMT 回流焊，PCB 量产贴片 |
| TMR1202T | TO-92S 直插 | 塑封圆柱直插 | 手工插件焊接、线材装配 |
工作温度：-40℃ ~ +125℃全温域可用；
全温区间内 BOP、BRP 磁场总漂移量最大≤3Gs；
高低温不会出现锁存逻辑错乱、阈值大幅偏移。
电源端标配：VCC 与 GND 引脚就近并联 0.1μF 多层陶瓷滤波电容；
输出端：CMOS 推挽输出，无需配置上拉、下拉电阻，可直接对接 MCU 通用 IO；
推荐磁铁安装间距：芯片与磁铁间距 2mm~4mm，保证磁场落在触发区间。
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